HBM明年过剩？DRAM下行周期到哪了？高盛详解芯片核心议题

HBM作为一种用于高性能计算和AI应用的关键存储技术，近年来需求量大幅增加。投资者开始担忧，HBM可能在2025年出现供应过剩，而DRAM周期性下行的风险加剧。

针对这种顾虑，高盛在16日公布的最新研报中指出，这种担忧可能为时尚早。报告强调，全球主要云计算公司仍在不断增加对存储设备的投资，供应过剩的情况不太可能发生。此外，先进封装技术（如CoWoS）的发展，以及以及主要客户对HBM供应紧张的预期，都将推动HBM的需求增长。

同时，供应商的库存相对健康，DRAM市场仍有望在未来几个季度内经历一次中周期库存调整。

HBM市场供不应求，DRAM周期存争议

投资者的关注点继续集中在HBM市场上，人们越来越担心，最早明年就会开始出现供应过剩的情况。

对此，高盛表示，这种情况不太可能发生，主要原因是目前超大规模企业继续在全球云计算领域持续支出，CoWoS产能强劲增长。

报告中还指出，目前主要的HBM供应商在提升生产良率方面面临挑战，这意味着短期内很难迅速增加供应。

因此，高盛认为HBM明年将供不应求，特别是SK海力士凭借其在AI内存市场中的领先地位，2025年之前供需仍将保持紧张，继续成为投资者的首选。

相比HBM市场，DRAM市场的前景则显得更加复杂。一部分投资者认为，随着库存水平的升高和其他国家供应的增加，DRAM可能会进入一个较长的下行周期。

但高盛对此持谨慎乐观态度。认为尽管客户库存水平较高，但供应商的库存相对健康，市场仍有望在未来几个季度内经历一次中周期库存调整。

此外，HBM的强劲需求也可能对DRAM市场产生正面影响。因此，虽然短期内市场波动不可避免，但高盛认为DRAM市场不会出现大幅度的下行。

三星电子：低估值吸引投资者

作为全球存储芯片的巨头之一，三星电子的股价表现近年来受到广泛关注。

报告指出，尽管三星电子股价近期有所下滑，但其当前的估值水平已接近1被市盈率的历史低位，吸引了众多投资者的兴趣。

大多数投资者认为，三星电子的股价下行空间有限，然而，短期内缺乏明显的股价上涨催化剂。

投资者特别关注三星电子即将发布的第三季度财报，期待其中能透露更多关于未来市场走向的信号。

SK海力士：HBM市场中的强劲表现

与三星电子相比，SK海力士的表现则更加受到投资者的青睐。报告指出，SK海力士凭借其在HBM市场的领先地位，继续吸引投资者的积极关注。

大多数投资者认为，HBM市场在2025年之前仍将处于供不应求的状态，这为SK海力士带来了强劲的增长预期。

报告中还提到，SK海力士的未来增长潜力还来自于其计划中的M15X晶圆厂建设，预计该工厂将在明年完成，这将进一步提升其HBM的生产能力。