出货增长+涨价，野村预测存储下半年表现更好 | AI脱水

本文作者：申思琦

来源：硬AI

市场都在说HBM供不应求，同时带动传统DRAM和NAND进一步涨价。

那么以韩国为代表的存储市场，2季度到底表现如何，3季度会增长多少？

野村在昨天的报告中做了简要叙述。

2季度出货环比1%，6月环比增幅明显

2季度韩国半导体公司的内存收入将同比增长137%，环比增长29%，部分原因是美元兑韩元的升值（美元/韩元汇率在2Q24中分别同比上涨9%和环比上涨4%）。

2季度内存出货量同比增长约10%，环比增长1%，DRAM和NAND价格均上涨约20%。

具体而言，6月份内存出口同比增长29%，环比增长85%至88亿美元，推动2Q内存出口达215亿美元（环比增长14%，同比增长94%）。

3季度环比继续增长，DRAM和NAND涨价10%

对于3季度，野村进一步预计韩国内存收入将同比增长31%，环比继续增长，主要由HBM产能扩张和商品价格上涨推动。

重点是，野村预计韩国半导体公司的盈利能力将在2024年下半年显著提高。同时由于HBM产能扩张和强劲需求，DRAM和NAND的商品价格上涨10%。

昨日的AI脱水中，硬AI指出了SK Hynix宣布了将投资103万亿韩元（约合747亿美元），计划在2028年之前进一步加强其面向人工智能存储芯片业务。

其中约80%（即82万亿韩元）的投资将用于发展高带宽內存（HBM）芯片，以推动与AI芯片发展的配合。

野村在报告中给出了韩国半导体企业不同产品，不同工艺下的资本开支情况。具体来看：

不同技术节点（Tech node）下，DRAM、NAND和晶圆代工每新增1万片产能所需的资本支出金额：

• 晶圆代工（Foundry）：7nm需20万亿韩元，5nm需32万亿韩元，3nm需27万亿韩元
• 3D NAND：128L需10万亿韩元，176L需14万亿韩元
• DRAM：1ynm需9万亿韩元，1znm需10万亿韩元，1anm需12万亿韩元

注：3D NAND的单位是“层”（L），DRAM的单位是“纳米”（nm），y z A分别代表第二、三、四代10nm工艺节点。

此前的业绩会上，公司还强调将在今年推出基于10纳米工艺的32Gb DDR5产品，这是第五代10纳米（1bnm）技术，以加强其在高容量服务器DRAM市场的领导地位。